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4D NANDも登場 「フラッシュメモリ」注目技術ガイド

フラッシュメモリの技術進化はとどまるところを知らない。ベンダー各社が技術開発にしのぎを削り、さまざまな新技術でフラッシュメモリの容量効率は磁気ディスクに近づく可能性がある。

コンテンツ情報

公開日 2019/06/13 フォーマット PDF 種類 レポート
ページ数・視聴時間 8ページ ファイルサイズ 451KB

要約

 コンピュータの記憶媒体として使用されるフラッシュメモリ。従来の主流であった磁気ディスクと比べ、データ読み書きの高速化や設置面積の省スペース化が可能だ。さらに近年はコストも従来と比べて格段に下がったため、磁気ディスクからの置き換えが徐々に進んでいる。

 フラッシュメモリは技術進化のスピードが速い。一般的なPCやサーバ、モバイルデバイスで利用されるNAND型では、多値記憶技術の最も新しい方式として、メモリセル内にbitを記憶させる「クアッドレベルセル」(QLC)が登場している。

 高密度化を目指して、従来の2次元構造から3次元構造の「3D NAND」への移行が進みつつある。さらには「4D NAND」をうたう製品の開発を進めるベンダーもある。

 本資料では、TechTargetジャパンの人気記事を基に、フラッシュメモリの注目技術に関する動向をまとめた。各ベンダーの計画や技術動向を把握する上での参考にしていただきたい。

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